HMS-5000,AMP55T
具溫度控制功能的高精度量測平台
高精度霍爾量測核心
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內建恆電流源與 Van der Pauw 接點配置
- 可精準量測載子濃度、遷移率、電阻率與霍爾係數
0.51 Tesla 磁鐵套件（Model: AMP55T）
- 0.51 T 永磁磁鐵（±0.03 T）
- 具加熱功能的導電型樣品板
- 上圓下方形的雙槽式液氮儲槽設計
- 樣品板表面配置溫度感測器，量測更穩定
多功能樣品安裝系統
- SH80350R 樣品套件：磁蓋底部結構、內建加熱器、樣品板、滑動桿與方形液氮槽
- 搭配馬達化磁鐵控制（選配），操作直覺、換樣方便
- 模組化設計，快速切換不同溫度與樣品配置
彈性溫度操作與廣泛應用
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標準樣品套件支援 80 K ～ 350 K 變溫量測，選配套件可擴充不同需求
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適用於半導體材料研究、電性材料分析、品質檢測等多種應用
有任何相關需求，請聯繫我們的專員
張岑如(Solina Zhang)
電話：+886933-097768
HMS‑5000 是一套全自動、可變溫 (80 K–350 K) 的霍爾效應 (Hall effect) 測試系統，可測量半導體樣本的載子濃度 (carrier concentration)、遷移率 (mobility)、電阻率 (resistivity)、霍爾係數 (Hall coefficient)／電導率 (conductivity)，並判定 N 型或 P 型半導體。
尺寸:
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主機（Main Body）：440 × 420 × 140 mm（W × H × D） / 8.5 kg
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磁鐵套件（Magnet Kit）：700 × 220 × 280 mm（W × H × D） / 15.5 kg
輸入電流範圍（DC）：1 nA ~ 20 mA
可測電阻率 (resistivity)：10⁻⁴ ~ 10⁷ Ω·cm
可測載子濃度（Carrier Concentration）：10⁷ ~ 10²¹ /cm2
可測遷移率（Mobility）：1 ~ 10⁷ cm²/V·s
適用各類半導體材料（N / P 型皆可）：
Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN、TCO（含 ITO）、AlZnO、FeCdTe、ZnO 等
Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN、TCO（含 ITO）、AlZnO、FeCdTe、ZnO 等
