HMS-5000,AMP55T
具温度控制功能的高精度量测平台
高精度霍尔量测核心
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内建恒电流源与 Van der Pauw 接点配置
- 可精准量测载子浓度、迁移率、电阻率与霍尔系数
0.51 Tesla 磁铁套件（Model: AMP55T）
- 0.51 T 永磁磁铁（±0.03 T）
- 具加热功能的导电型样品板
- 上圆下方形的双槽式液氮储槽设计
- 样品板表面配置温度感测器，量测更稳定
多功能样品安装系统
- SH80350R 样品套件：磁盖底部结构、内建加热器、样品板、滑动杆与方形液氮槽
- 搭配马达化磁铁控制（选配），操作直觉、换样方便
- 模组化设计，快速切换不同温度与样品配置
弹性温度操作与广泛应用
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标准样品套件支援 80 K ～ 350 K 变温量测，选配套件可扩充不同需求
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适用于半导体材料研究、电性材料分析、品质检测等多种应用
有任何相关需求，请联系我们的专员
张岑如(Solina Zhang)
电话：+886933-097768
HMS‑5000 是一套全自动、可变温 (80 K–350 K) 的霍尔效应 (Hall effect) 测试系统，可测量半导体样本的载子浓度 (carrier concentration)、迁移率 (mobility)、电阻率 (resistivity)、霍尔系数 (Hall coefficient)／电导率 (conductivity)，并判定 N 型或 P 型半导体。
尺寸:
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主机（Main Body）：440 × 420 × 140 mm（W × H × D） / 8.5 kg
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磁铁套件（Magnet Kit）：700 × 220 × 280 mm（W × H × D） / 15.5 kg
输入电流范围（DC）：1 nA ~ 20 mA
可测电阻率 (resistivity)：10⁻⁴ ~ 10⁷ Ω·cm
可测载子浓度（Carrier Concentration）：10⁷ ~ 10²¹ /cm2
可测迁移率（Mobility）：1 ~ 10⁷ cm²/V·s
适用各类半导体材料（N / P 型皆可）：
Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN、TCO（含 ITO）、AlZnO、FeCdTe、ZnO 等
Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN、TCO（含 ITO）、AlZnO、FeCdTe、ZnO 等
